Method of forming an insulating film having SI-C, SI-O and SI-H bonds to cover wiringlines of a semiconductor device

   
   

An insulating film which enables not only to obtain a good film quality but to achieve an excellent filling property, thick film formation and planarization simultaneously, an insulating film forming coating solution for forming the insulating film, and a method of manufacturing the insulating film are set forth. An insulating film forming coating solution containing as a main component a solution of a polymer obtained by co-hydrolysis of trialkoxysilane expressed by a general formula, SiH(OR).sub.3 --, methyltrialkoxysilane expressed by a general formula, SiCH.sub.3 (OR).sub.3 --, and tetraalkoxysilane expressed by a general formula, Si(OR).sub.4 is coated on a semiconductor substrate (1) having a step portion, and after it is heated and dried in an inert gas atmosphere, an insulating film (6) which is composed of a silane-derived compound expressed by a general formula, SiH.sub.x (CH.sub.3).sub.y O.sub.2-(x+y)/2, where, 0 Μια μονώνοντας ταινία που επιτρέπουν όχι μόνο να ληφθεί μια υψηλή ποιότητα ταινιών αλλά για να επιτύχουν μια άριστη γεμίζοντας ιδιοκτησία, ο παχύ σχηματισμός ταινιών και το planarization ταυτόχρονα, μια μονώνοντας ταινία που διαμορφώνουν τη λύση επιστρώματος για τη διαμόρφωση της μονώνοντας ταινίας, και μια μέθοδος τη μονώνοντας ταινία εκτίθενται. Μια μονώνοντας ταινία που διαμορφώνει τη λύση επιστρώματος που περιέχει ως κύριο συστατικό μια λύση ενός πολυμερούς σώματος που λαμβάνεται από την ομο-υδρόλυση του trialkoxysilane που εκφράζεται από έναν γενικό τύπο, methyltrialkoxysilane SiH(OR).sub.3 --, που εκφράζεται από έναν γενικό τύπο, SiCH.sub.3 (OR).sub.3 --, και tetraalkoxysilane που εκφράζεται από έναν γενικό τύπο, Si(OR).sub.4 είναι ντυμένη σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών (1) που έχει μια μερίδα βημάτων, και μετά από το θερμαίνεται και ξηρός σε μια αδρανή αέριο ατμόσφαιρα, μια μονώνοντας ταινία (6) που αποτελείται από μια σηλανε-παραγόμενη ένωση που εκφράζεται από έναν γενικό τύπο, SiH.sub.x (CH.sub.3).sub.y O.sub.2-(x+y)/2, όπου, 0

 
Web www.patentalert.com

< Epitaxial thin film forming method

< Manufacturing method for wiring circuit substrates

> Treatment of addiction and addiction-related behavior

> Electron beam inspection method and apparatus and semiconductor manufacturing method and its manufacturing line utilizing the same

~ 00149