A method for selectively forming an epitaxial thin film on a semiconductor
substrate by controlling a flow rate of a source gas supplied to a
deposition ambient includes determining a relation between the growth rate
of the epitaxial thin film and the gas flow rate by changing the flow rate
of the gas supplied to the deposition ambient at a prescribed temperature.
A mass transfer limited region, a kinetically limited region, and an
intermediate region are identified. The method further includes supplying
the source gas at the flow rate corresponding to the intermediate region
to form the epitaxial thin film on the semiconductor substrate. Thus, a
method for selectively forming a flat epitaxial thin film by controlling
the growth temperature and the gas flow rate is provided.
Un metodo per selettivamente formare una pellicola sottile epitassiale su un substrato a semiconduttore controllando una portata di un gas di fonte assicurato ad un deposito ambientale include la determinazione del rapporto fra il tasso di accrescimento della pellicola sottile epitassiale e la portata del gas cambiando la portata del gas assicurato al deposito ambientale ad una temperatura prescritta. Una regione limitata di trasferimento di massa, una regione cineticamente limitata e una regione intermedia sono identificate. Il metodo ulteriore include assicurare il gas di fonte alla portata che corrisponde alla regione intermedia per formare la pellicola sottile epitassiale sul substrato a semiconduttore. Quindi, un metodo per selettivamente formare una pellicola sottile epitassiale piana controllando la temperatura di sviluppo e la portata del gas รจ fornito.
