A method for protecting a non-volatile memory device, the method including
forming a non-volatile memory device including a polycide structure formed
over a non-conducting charge trapping layer, and forming a protective
layer over at least a portion of the polycide structure, the protective
layer being adapted to absorb electromagnetic wave energy having a
wavelength shorter than visible light. A device constructed in accordance
with the method is also disclosed.
Un metodo per la protezione del dispositivo di memoria non volatile, il metodo compreso formare un dispositivo di memoria non volatile compreso una struttura di polycide formata sopra uno strato non conducente dell'intrappolamento della carica e formare un'eccedenza protettiva di strato almeno una parte della struttura di polycide, lo strato protettivo che è adattato per assorbire energia dell'onda elettromagnetica che ha una luce più presto visibile di lunghezza d'onda. Un dispositivo costruito in conformità con il metodo inoltre è rilevato.
