A nonvolatile semiconductor memory device has a protective insulating film
deposited on each of the side surfaces of a control gate electrode to
protect the control gate electrode during the formation of a floating gate
electrode, the floating gate electrode opposed to one of the side surfaces
of the control gate electrode with the protective insulating film
interposed therebetween so as to be capacitively coupled to the control
gate electrode, a tunnel insulating film formed between the floating gate
electrode and the semiconductor substrate, a drain region formed in a
region of the semiconductor substrate containing a portion underlying the
floating gate electrode, and a source region formed in a region of the
semiconductor substrate opposite to the drain region relative to the
control gate electrode.
Um dispositivo de memória permanente do semicondutor tem uma película isolando protetora depositada em cada uma das superfícies laterais de um elétrodo de porta do controle para proteger o elétrodo de porta do controle durante a formação de um elétrodo de porta flutuando, o elétrodo de porta flutuando oposta a uma das superfícies laterais do elétrodo de porta do controle com a película isolando protetora interposed therebetween para para ser acoplado capacitively ao elétrodo de porta do controle, a uma película isolando do túnel dados forma entre o elétrodo de porta flutuando e a carcaça do semicondutor, uma região do dreno dados forma em uma região da carcaça do semicondutor que contem uma parcela subjacente o elétrodo de porta flutuando, e em uma região da fonte dada forma em uma região da carcaça do semicondutor oposto a à região do dreno relativo ao elétrodo de porta do controle.
