A surface acoustic wave device includes a piezoelectric substrate and
interdigital electrode portions disposed on the piezoelectric substrate. A
functional film including at least one of a silicon nitride film, a
silicon oxide film, and a silicon oxide nitride film is formed on the
piezoelectric substrate having the interdigital electrode portions such
that the functional film is formed on at least a portion of the
interdigital electrode portions by an electron cyclotron resonance
sputtering method.
Un dispositif extérieur d'onde acoustique inclut un substrat piézoélectrique et des parties interdigital d'électrode disposés sur le substrat piézoélectrique. Un film fonctionnel comprenant au moins un d'un film de nitrure de silicium, d'un film d'oxyde de silicium, et d'un film de nitrure d'oxyde de silicium est formé sur le substrat piézoélectrique ayant les parties interdigital d'électrode tels que le film fonctionnel est formé sur au moins une partie des parties interdigital d'électrode par une méthode de pulvérisation de résonance de cyclotron d'électron.
