A structure is disclosed for split-gate flash memory cells in which
isolation regions separate parallel active regions within a semiconductor
region. Trapezoidal floating gates, separated from the active regions by
an insulator layer, are equally spaced over the active regions. Three
tiered parallel strips run perpendicular to the active regions and pass
over corresponding trapezoidal floating gates, the bottom and top tiers
being insulator layers and the middle tier being a conductor layer.
Insulator spacers are disposed over the sidewalls of the three-tiered
parallel strips and of the trapezoidal floating gates. These parallel
structures are designated floating gate towers. Source/drain regions are
formed in the semiconductor region of every other opening between floating
gate towers where they are contacted by source/drain contact lines. An
insulator layer is disposed over the source/drain contact lines. The other
openings between floating gate towers contain select gates, which are
conductive columns that are separated from the semiconductor region by an
insulator layer and rise over active regions. Parallel select gate contact
lines are disposed over and run along the active regions contacting the
select gates.
Μια δομή αποκαλύπτεται για τα κύτταρα μνήμης λάμψης διάσπαση-πυλών στα οποία χωριστές παράλληλες ενεργές περιοχές περιοχών απομόνωσης μέσα σε μια περιοχή ημιαγωγών. Οι τραπεζοειδείς επιπλέουσες πύλες, που χωρίζονται από τις ενεργές περιοχές από ένα στρώμα μονωτών, είναι ισοδιάστατες πέρα από τις ενεργές περιοχές. Τρεις τοποθετημένες στη σειρά παράλληλες λουρίδες τρέχουν την κάθετο στις ενεργές περιοχές και περνούν πέρα από τις αντίστοιχες τραπεζοειδείς επιπλέουσες πύλες, το κατώτατο σημείο και οι κορυφαίες σειρές που είναι στρώματα μονωτών και η μέση σειρά που είναι ένα στρώμα αγωγών. Τα πλήκτρα διαστήματος μονωτών διατίθενται πέρα από sidewalls των τρεις-τοποθετημένων στη σειρά παράλληλων λουρίδων και των τραπεζοειδών επιπλεουσών πυλών. Αυτές οι παράλληλες δομές υποδεικνύονται τους επιπλέοντες πύργους πυλών. Οι περιοχές πηγής/αγωγών διαμορφώνονται στην περιοχή ημιαγωγών κάθε άλλου ανοίγματος μεταξύ των επιπλεόντων πύργων πυλών όπου έρχονται σε επαφή με από τις γραμμές επαφών πηγής/αγωγών. Ένα στρώμα μονωτών διατίθεται πέρα από τις γραμμές επαφών πηγής/αγωγών. Οι άλλες ενάρξεις μεταξύ των επιπλεόντων πύργων πυλών περιέχουν τις επίλεκτες πύλες, οι οποίες είναι αγώγιμες στήλες που χωρίζονται από την περιοχή ημιαγωγών από ένα στρώμα και μια άνοδο μονωτών πέρα από τις ενεργές περιοχές. Οι παράλληλες επίλεκτες γραμμές επαφών πυλών διατίθενται και τρέξιμο κατά μήκος των ενεργών περιοχών ερχόμενος σε επαφή με τις επίλεκτες πύλες.
