A microwave transistor structure comprising: (1) a substrate having a top
surface; (2) a silicon semiconductor material of a first conductivity
type; (3) a conductive gate; (4) a channel region of a second conductivity
type; (5) a drain region of the second conductivity type; (6) a body of
the first conductivity type; (7) a source region of the second
conductivity type; (8) a shield plate region formed on the top surface of
the silicon semiconductor material over a portion of the channel region,
wherein the shield plate is adjacent and parallel to the drain region, and
to the conductive gate region; and (9) a conductive plug region formed in
the body region of the silicon semiconductor material, wherein the
conductive plug region connects a lateral surface of the body region to
the top surface of the substrate.
Une comportement de structure de transistor à micro-ondes : (1) un substrat ayant une surface supérieure ; (2) un matériel de semi-conducteur de silicium d'un premier type de conductivité ; (3) une porte conductrice ; (4) une région de canal d'un deuxième type de conductivité ; (5) une région de drain du deuxième type de conductivité ; (6) un corps du premier type de conductivité ; (7) une région de source du deuxième type de conductivité ; (8) une région de plat de bouclier a formé sur la surface supérieure du matériel de semi-conducteur de silicium au-dessus d'une partie de la région de canal, où le plat de bouclier est adjacent et parallèle à la région de drain, et à la région de porte conductrice ; et (9) une région conductrice de prise a formé dans la région de corps du matériel de semi-conducteur de silicium, où la région conductrice de prise relie une surface latérale de la région de corps à la surface supérieure du substrat.
