A power component formed in an N-type silicon substrate delimited by a
P-type wall, having a lower surface including a first P-type region
connected to the wall, and an upper surface including a second P-type
region, a conductive layer extending above the substrate between the
second region and the wall. The component includes a third N-type region
of high doping level formed in the substrate under the portion of the
layer substantially halfway between the external periphery of the second
region and the internal periphery of the wall. This third region is
contacted by a field plate extending on either side of the third region in
the direction of the wall and of the third region.
Een machtscomponent die in een n-Type siliciumsubstraat wordt gevormd dat door p-Type muur wordt afgebakend, die een lagere oppervlakte met inbegrip van eerste p-Type een gebied een heeft dat met de muur wordt verbonden, en een hogere oppervlakte met inbegrip van tweede p-Type gebied, een geleidende laag zich boven het substraat tussen het tweede gebied een uitbreiden en de muur die. De component omvat derde n-Type gebied dat van hoogte een niveau smeert dat in het substraat onder het gedeelte van de laag wezenlijk halverwege tussen de externe periferie van het tweede gebied en de interne periferie van de muur wordt gevormd. Dit derde gebied wordt gecontacteerd door een gebiedsplaat aan beide kanten zich uitbreidt van het derde gebied in de richting van de muur en van het derde gebied.
