A semiconductor device, such as a CMOS device, having gates with a high
work function in PMOS regions and low work functions in NMOS regions and a
method of producing the same. Using nitrogen implantation or plasma
annealing, a low work function W (or CoSi.sub.x)/TaSi.sub.x N.sub.y
/GOx/Si gate stack is formed in the NMOS regions while a high work
function W (or CoSi.sub.x)/Ta.sub.5 Si.sub.3 /GOx/Si gate stack is formed
in the PMOS regions. The improved process also eliminates the need for a
nitrided GOx which is known to degrade g.sub.m (transconductance)
performance. The materials of the semiconductor devices exhibit improved
adhesion characteristics to adjacent materials and low internal stress.
Прибора на полупроводниках, such as приспособление cmos, имеющ стробы с высокой функцией работы в зонах pmos и низкой работе действует в зонах nmos и методе производить эти же. Использование отжига вживления или плазмы азота, низкая функция ш работы (или строб CoSi.sub.x)/TaSi.sub.x N.sub.y /GOx/Si стог сформировано в зонах nmos пока высокая функция ш работы (или строб CoSi.sub.x)/Ta.sub.5 Si.sub.3 /GOx/Si стог сформировано в зонах pmos. Улучшенный процесс также исключает потребность для а nitrided GOx знаны, что ухудшает представление g.sub.m (transconductance). Материалы характеристик прилипания прибора на полупроводниках улучшенных экспонатом к смежным материалам и низкому внутренне усилию.
