A semiconductor laser device is constructed by stacking an n-cladding
layer, an n-optical guide layer, an MQW active layer, a p-cap layer, a
p-optical guide layer, a p-cladding layer, an n-current blocking layer,
and a p-contact layer in this order on one surface of a transparent
substrate. A p electrode is formed on a predetermined region of the
p-contact layer. An n electrode having a projected shape is formed on the
other surface of the transparent substrate. In this case, a portion, where
a projection of the n electrode is arranged, of the device corresponds to
the front (a surface on the side of laser light emission) thereof.
Een apparaat van de halfgeleiderlaser wordt geconstrueerd door een n-bekleding laag, een n-optische gidslaag, een actieve laag MQW, een laag p-GLB, een p-optische gidslaag, een p-bekleding laag, een n-huidige het blokkeren laag, en een p-contact laag in deze orde op één oppervlakte van een transparant substraat te stapelen. Een pelektrode wordt gevormd op een vooraf bepaald gebied van de p-contact laag. Een nelektrode die een ontworpen vorm heeft wordt gevormd op de andere oppervlakte van het transparante substraat. In dit geval, daarvan beantwoordt een gedeelte, waar een projectie van de nelektrode wordt geschikt, van het apparaat aan de voorzijde (een oppervlakte aan de kant van laser lichte emissie).
