A method of manufacturing a distributed feedback semiconductor laser, has
the steps of: growing on a semiconductor substrate a lamination of
alternately stacked lower barrier layer and lower well layer having a band
gap narrower than the lower barrier layer, to form a lower quantum well
structure; growing an intermediate layer on an uppermost lower well layer,
the intermediate layer having a band gap broader than the lower well and a
thickness thicker than the lower barrier layer; growing on the
intermediate layer a lamination of alternately stacked upper well layer
and upper barrier layer having a band gap broader than the upper well
layer and a thickness thinner than the intermediate layer, to form an
upper quantum well structure; forming a mask on the upper quantum well
structure, the mask having periodical pattern; by using the mask as an
etching mask, etching the upper quantum well structure in a periodical
shape by using the intermediate layer as an etching margin layer; and
removing the mask. Complex coupling DFB lasers with a small variation in
characteristics can be provided.
Метод изготовлять распределенный лазер полупроводника обратной связи, имеет шаги: на субстрате полупроводника слоение друг штабелированного более низкого слоя барьера и понизьте хороший слой имея зазор полосы более узкий чем более низкий слой барьера, для того чтобы сформировать более низкую структуру добра суммы; промежуточный слой на uppermost более низком хорошем слое, промежуточном слое имея зазор полосы более обширный чем более низкое добро и толщина более толщиной чем более низкий слой барьера; на промежуточном слое слоение друг штабелированного слоя добра верхушкы и верхнего слоя барьера имея зазор полосы более обширный чем слой добра верхушкы и растворитель толщины чем промежуточный слой, для того чтобы сформировать верхнюю структуру добра суммы; формирующ маску на верхней структуре добра суммы, маска имея периодическую картину; путем использование маски как маска вытравливания, вытравливание верхняя структура добра суммы в периодической форме путем использование промежуточного слоя как слой допустимого предела вытравливания; и извлекающ маску. Сложные лазеры соединения DFB с малым изменением в характеристиках можно обеспечить.
