A dual panel-type organic electroluminescent display device includes a
first substrate and a second substrate bonded together to include a
plurality of sub-pixel regions, a first electrode on an inner surface of
the second substrate, an insulating pattern on the first electrode along a
border portion between adjacent sub-pixel regions, a plurality of
partition walls on the insulating pattern, a plurality of organic
electroluminescent layers, each within one of the sub-pixel regions
between adjacent partition walls, a second electrode on the organic
electroluminescent layer, a plurality of thin film transistors on an inner
surface of the first substrate each within one of the sub-pixel regions,
and including a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode,
and a drain electrode, a passivation layer covering the thin film
transistors and including a contact hole exposing the drain electrode, and
a plurality of connection patterns on the passivation layer, each
including a first pattern and a second pattern, wherein the first pattern
corresponds to the second electrode and has a height larger than a height
of the partition walls and the second pattern covers the first pattern and
is connected to the drain electrode and the second electrode.
Un panneau-type duel dispositif d'affichage électro-luminescent organique inclut un premier substrat et un deuxième substrat collés ensemble pour inclure une pluralité de régions de secondaire-Pixel, une première électrode sur une surface intérieure du deuxième substrat, un modèle isolant sur la première électrode le long d'une partie de frontière entre les régions limitrophes de secondaire-Pixel, une pluralité de cloisons de séparation sur le modèle isolant, une pluralité de couches électro-luminescentes organiques, chacune à moins d'une des régions de secondaire-Pixel entre les cloisons de séparation adjacentes, une deuxième électrode sur la couche électro-luminescente organique, une pluralité de transistors de la couche mince sur une surface intérieure du premier substrat chacune à moins d'un des régions de secondaire-Pixel, et d'inclure une couche de semi-conducteur, l'électrode de porte, une électrode de source, et une électrode de drain, une couche de passivation couvrant les transistors de la couche mince et incluant un trou de contact exposant l'électrode de drain, et une pluralité de modèles de raccordement sur la couche de passivation, chacune comprenant un premier modèle et un deuxième modèle, où le premier modèle correspond à la deuxième électrode et a une taille plus grande qu'une taille des cloisons de séparation et du deuxième modèle couvre le premier modèle et est reliée à l'électrode de drain et à la deuxième électrode.
