A manufacturing method of a semiconductor device for providing wires on a
front surface of a semiconductor wafer by providing a plating layer, in
which conductive layers provided on the front and back surfaces of the
semiconductor wafer are electrically conducted by solder filled in its
through-holes, and electrolytic plating is carried out by electrically
connecting cathode terminals of an electrolytic plating apparatus and the
conductive layer provided on the back surface of the semiconductor wafer
which is provided with a mask on the conductive layer provided on its
front surface.
Un metodo di fabbricazione di un dispositivo a semiconduttore per fornire lega su una superficie anteriore di una cialda a semiconduttore fornendo uno strato di placcatura, in cui gli strati conduttivi forniti la parte anteriore e superfici posteriori della cialda a semiconduttore sono condotti elettricamente dalla saldatura hanno riempito i relativi attraverso-fori e la placcatura elettrolitica è effettuata elettricamente collegando sui terminali di catodo di un'apparecchiatura elettrolitica di placcatura e sullo strato conduttivo fornite sulla superficie posteriore della cialda a semiconduttore che è fornita di una mascherina sullo strato conduttivo fornito sulla relativa superficie anteriore.
