A preferred condition for forming a Group III nitride compound
semiconductor layer on a substrate by a sputtering method is proposed.
When a first Group III nitride compound semiconductor layer is formed on a
substrate by a sputtering method, an initial voltage of a sputtering
apparatus is selected to be not higher than 110% of a sputtering voltage.
Una condición preferida para formar una capa del semiconductor compuesto del nitruro del grupo III en un substrato por un método de la farfulla se propone. Cuando una primera capa del semiconductor compuesto del nitruro del grupo III es formada en un substrato por un método de la farfulla, un voltaje inicial de un aparato de la farfulla se selecciona para ser no más arriba de 110% de un voltaje de la farfulla.
