By using a mask 4, a first Group III nitride compound semiconductor layer
31 is etched, to thereby form an island-like structure such as a dot-like,
striped-shaped, or grid-like structure, so as to provide a trench/post.
Thus, without removing the mask 4 formed on a top surface of the upper
layer of the post, a second Group III nitride compound layer 32 can be
epitaxially grown, vertically and laterally, with a sidewall/sidewalls of
the trench serving as a nucleus, to thereby bury the trench and also grow
the layer in the vertical direction. The second Group III nitride compound
layer 32 does not grow epitaxially on the mask 4. In this case,
propagation of threading dislocations contained in the first Group III
nitride compound semiconductor layer 31 can be prevented in the upper
portion of the second Group III nitride compound semiconductor 32 that is
formed through lateral epitaxial growth and a region having less threading
dislocations can be formed in the buried portion of the trench.
Door een masker 4 te gebruiken, wordt een eerste Groep III de halfgeleiderlaag 31 van de nitridesamenstelling geëtst, daardoor een eiland-als structuur zoals een punt-als, gestreept-gevormde, of net-als structuur vormen, om een geul/een post te verstrekken. Aldus, zonder masker 4 te verwijderen dat op een hoogste oppervlakte van de hogere laag van de post wordt gevormd, kan een tweede Groep III laag 32 van de nitridesamenstelling epitaxially, verticaal en lateraal, met een zijwand/zijwanden van de geul worden gekweekt die als kern dient, daardoor de geul begraven en ook de laag in de verticale richting kweken. Tweede Groep III laag 32 van de nitridesamenstelling groeit niet epitaxially op masker 4. In dit geval, kan de propagatie van het inpassen van dislocaties in eerste Groep III de halfgeleiderlaag 31 van de nitridesamenstelling in het hogere gedeelte van tweede Groep III halfgeleider 32 worden verhinderd van de nitridesamenstelling die door de zij epitaxial groei wordt gevormd en een gebied dat minder heeft die dislocaties inpassen in het begraven gedeelte van de geul kan worden gevormd.
