The invention encompasses methods for cleaning surfaces of wafers or other
semiconductor articles. Oxidizing is performed using an oxidation solution
which is wetted onto the surface. The oxidation solution can include one
or more of: water, ozone, hydrogen chloride, sulfuric acid, or hydrogen
peroxide. A rinsing step removes the oxidation solution and inhibits
further activity. The rinsed surface is thereafter preferably subjected to
a drying step. The surface is exposed to an oxide removal vapor to remove
semiconductor oxide therefrom. The oxide removal vapor can include one or
more of: acids, such as a hydrogen halide, for example hydrogen fluoride
or hydrogen chloride; water; isopropyl alcohol; or ozone. The processes
can use centrifugal processing and spraying actions.
L'invention entoure des méthodes pour nettoyer des surfaces des gaufrettes ou d'autres articles de semi-conducteur. L'oxydation est exécutée en utilisant une solution d'oxydation qui est mouillée sur la surface. La solution d'oxydation peut inclure un ou plusieurs de : l'eau, l'ozone, chlorure d'hydrogène, acide sulfurique, ou peroxyde d'hydrogène. Une étape de rinicage enlève la solution d'oxydation et empêche davantage d'activité. La surface rincée ensuite est de préférence soumise à une étape de séchage. La surface est exposée à une vapeur de déplacement d'oxyde pour éliminer l'oxyde de semi-conducteur de là. La vapeur de déplacement d'oxyde peut inclure un ou plusieurs de : acides, tels qu'un halogénure d'hydrogène, par exemple fluorure d'hydrogène ou chlorure d'hydrogène ; l'eau ; alcool de isopropyle ; ou l'ozone. Les processus peuvent employer le traitement de centrifugeur et les actions de pulvérisation.
