An optical semiconductor device of the present invention is equipped with a
photo detect element 10 comprising a photo detect part 7 provided with two
photodiodes having two photodiodes having peak wavelength sensitivity in a
visible light region and an infrared region, respectively and an
amplifying operation processing circuit 8 for amplifying and processing
outputs of the photodiodes, and characterized in that substrate
resistivity R is as follows:
1.ltoreq.R.ltoreq.3(.OMEGA.cm)
Um dispositivo de semicondutor ótico da invenção atual é equipado com uma foto detecta o elemento 10 compreender uma foto para detectar a parte 7 fornecida com os dois fotodiodos que têm dois fotodiodos ter a sensibilidade peak do wavelength em uma região clara visível e em uma região infravermelha, respectivamente e uma operação de amplificação que processa o circuito 8 amplificando e processando saídas dos fotodiodos, e caracterizada que o resistivity R da carcaça é como segue: 1.ltoreq.R.ltoreq.3(.OMEGA.cm)
