A device having electrically isolated low voltage and high voltage
substrate regions includes low voltage and high voltage trench isolation
structures in which a deep portion of the high voltage isolation trench
provides electrical isolation in the high voltage regions. The high
voltage isolation trench structures include a shallow portion that is
simultaneously formed with the low voltage trench isolation structures.
The deep portion of the high voltage isolation trench has a bottom surface
and shares a continuous wall surface with the shallow portion that extends
from the bottom surface to the principal surface of the substrate. A
process for fabricating the device includes the use of a single resist
pattern to simultaneously form the low voltage isolation trench structures
and the shallow portion of the high voltage isolation structures.
Приспособление электрически изолируя зоны субстрата низкого напряжения тока и высокого напряжения вклюает структуры изоляции шанца низкого напряжения тока и высокого напряжения в глубокая часть высоковольтного шанца изоляции предусматривает электрическую изоляцию в высоковольтных зонах. Высоковольтные структуры шанца изоляции вклюают отмелую часть одновременно сформирована с структурами изоляции шанца низкого напряжения тока. Глубокая часть высоковольтного шанца изоляции имеет нижнюю поверхность и делит непрерывную поверхность стены с отмелой частью удлиняет от нижней поверхности к главным образом поверхности субстрата. Процесс для изготовлять приспособление вклюает пользу одиночной сопротивляет картине одновременно для того чтобы сформировать структуры шанца изоляции низкого напряжения тока и отмелую часть высоковольтных структур изоляции.
