A field oxide film for element isolation is formed on an SOI substrate
having a silicon layer formed on an insulating layer, an active nitride
film is wet-etched to reduce its film thickness to a value small enough to
allow the edge of the silicon layer to become exposed and ions of a
channel stopping impurity are implanted only into the edge of the silicon
layer through self-alignment either vertically or at an angle by using the
active nitride film as a mask. Through this manufacturing method, a field
effect transistor which achieves a small gate length, is free from the
adverse effect of a parasitic transistor and thus does not readily
manifest a hump, and allows a reduction in the distance between an nMOS
and a pMOS provided next to each other is realized.
Μια ταινία οξειδίων τομέων για την απομόνωση στοιχείων διαμορφώνεται σε ένα υπόστρωμα SOI που έχει ένα στρώμα πυριτίου διαμορφωμένο σε ένα στρώμα μόνωσης, μια ενεργός ταινία νιτριδίων υγρός-χαράζεται για να μειώσει το πάχος ταινιών της σε μια αξία αρκετά μικρή να επιτρέψει στην άκρη του στρώματος πυριτίου για να γίνει εκτεθειμένη και τα ιόντα ενός καναλιού που σταματά την ακαθαρσία εμφυτεύονται μόνο στην άκρη του στρώματος πυριτίου μέσω της μόνος-ευθυγράμμισης είτε κάθετα είτε διαγωνίως με τη χρησιμοποίηση της ενεργού ταινίας νιτριδίων ως μάσκα. Μέσω αυτής της μεθόδου κατασκευής, μια κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων που επιτυγχάνει ένα μικρό μήκος πυλών, είναι απαλλαγμένη από τη δυσμενή συνέπεια μιας παρασιτικής κρυσταλλολυχνίας και έτσι δεν φανερώνει εύκολα ένα εξόγκωμα, και επιτρέπει μια μείωση της απόστασης μεταξύ ενός nMOS και ενός pMOS που παρέχονται το ένα δίπλα στο άλλο πραγματοποιείται.
