Provided with a semiconductor device including: a semiconductor substrate
having a first conductivity type; a first well having a second
conductivity type formed in a first region in a major surface of the
semiconductor substrate; a second well having the first conductivity type
formed in a second region in the major surface of the semiconductor
substrate; a first MOS transistor having the first conductivity type and a
first contact region having the second conductivity type formed in the
first well; a second MOS transistor having the second conductivity type
and a second contact region having the second conductivity type formed in
the second well; a heavily doped region of buried layer having the second
conductivity type formed at a portion corresponding to the first contact
region in the first well; and a heavily doped region of buried layer
having the first conductivity type formed at a portion corresponding to
the second contact region in the second well.
Versehen mit einem Halbleiterelement einschließlich: ein Halbleitersubstrat, das eine erste Leitfähigkeitart hat; ein erstes wohles, eine zweite Leitfähigkeitart sich bilden lassend in einer ersten Region in einer Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates; ein Sekunde Brunnen, der die erste Leitfähigkeitart sich bilden läßt in einer zweiten Region in der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates; ein erster MOS Transistor, der die erste Leitfähigkeitart haben und eine erste Kontaktregion, welche die zweite Leitfähigkeitart sich bilden läßt im ersten wohlen; ein zweiter MOS Transistor, der die zweite Leitfähigkeitart haben und eine zweite Kontaktregion, welche die zweite Leitfähigkeitart sich bilden läßt im Sekunde Brunnen; eine schwer lackierte Region der begrabenen Schicht, welche die zweite Leitfähigkeitart gebildet an einem Teil entspricht der ersten Kontaktregion im ersten wohlen hat; und eine schwer lackierte Region der begrabenen Schicht, welche die erste Leitfähigkeitart gebildet an einem Teil entspricht der zweiten Kontaktregion im Sekunde Brunnen hat.
