An information storage device is disclosed. In one embodiment, the
information storage device includes first and second memory cells which
store complementary first and second logic states. An error detection
system coupled to the first and second memory cells is configured to
indicate an error if a difference between a first current flowing through
the first memory cell and a second current flowing through the second
memory cell is less than a predefined value.
Μια συσκευή αποθήκευσης πληροφοριών αποκαλύπτεται. Σε μια ενσωμάτωση, η συσκευή αποθήκευσης πληροφοριών περιλαμβάνει πρώτα και δεύτερα κύτταρα μνήμης που αποθηκεύουν τα συμπληρωματικά πρώτα και δεύτερα κράτη λογικής. Ένα σύστημα ανίχνευσης λάθους που συνδέεται με τα πρώτα και δεύτερα κύτταρα μνήμης διαμορφώνεται για να δείξει ένα λάθος εάν μια διαφορά μεταξύ μιας πρώτης τρέχουσας ροής του πρώτου κυττάρου μνήμης και μιας δεύτερης τρέχουσας ροής του δεύτερου κυττάρου μνήμης είναι λιγότερο από μια προκαθορισμένη αξία.