Error detection system for an information storage device

   
   

An information storage device is disclosed. In one embodiment, the information storage device includes first and second memory cells which store complementary first and second logic states. An error detection system coupled to the first and second memory cells is configured to indicate an error if a difference between a first current flowing through the first memory cell and a second current flowing through the second memory cell is less than a predefined value.

Μια συσκευή αποθήκευσης πληροφοριών αποκαλύπτεται. Σε μια ενσωμάτωση, η συσκευή αποθήκευσης πληροφοριών περιλαμβάνει πρώτα και δεύτερα κύτταρα μνήμης που αποθηκεύουν τα συμπληρωματικά πρώτα και δεύτερα κράτη λογικής. Ένα σύστημα ανίχνευσης λάθους που συνδέεται με τα πρώτα και δεύτερα κύτταρα μνήμης διαμορφώνεται για να δείξει ένα λάθος εάν μια διαφορά μεταξύ μιας πρώτης τρέχουσας ροής του πρώτου κυττάρου μνήμης και μιας δεύτερης τρέχουσας ροής του δεύτερου κυττάρου μνήμης είναι λιγότερο από μια προκαθορισμένη αξία.

 
Web www.patentalert.com

< Circuit configuration for a current switch of a bit/word line of a MRAM device

< Thin film magnetic memory device realizing both high-speed data reading operation and stable operation

> Shiftable magnetic shift register and method of using the same

> Bit line control and sense amplification for TCCT-based memory cells

~ 00151