A circuit and a method are provided for facilitating control of bit lines
in preparation for, or during, sense amplification of data signals from
thinly capacitively-coupled thyristor ("TCCT")-based memory cells. In
accordance with a specific embodiment, a circuit and method are designed,
among other things, to effectively minimize power consumption by memory
cells and to increase speed and reliability of sense amplification. In
another specific embodiment, the circuit and method are directed to
TCCT-based memory cells.
Een kring en een methode worden verstrekt voor het vergemakkelijken van controle van beetjelijnen als voorbereiding op, of tijdens, betekenisversterking van gegevenssignalen van dun capacitively-gekoppelde thyristor ("op tcct")-Gebaseerde geheugencellen. Overeenkomstig een specifieke belichaming, worden een kring en een methode ontworpen, onder andere, om machtsconsumptie effectief te minimaliseren door geheugencellen en snelheid en betrouwbaarheid van betekenisversterking te verhogen. In een andere specifieke belichaming, worden de kring en de methode geleid aan op tcct-Gebaseerde geheugencellen.
