Electrode materials with improved hydrogen degradation resistance

   
   

An electrode for use in a ferroelectric device includes a bottom electrode; a ferroelectric layer; and a top electrode formed on the ferroelectric layer and formed of a combination of metals, including a first metal take from the group of metals consisting of platinum and iridium, and a second metal taken from the group of metals consisting of aluminum and titanium; wherein the top electrode acts as a passivation layer and wherein the top electrode remains conductive following high temperature annealing in a hydrogen atmosphere. A method of forming a hydrogen-resistant electrode in a ferroelectric device includes forming a bottom electrode; forming a ferroelectric layer on the bottom electrode; depositing a top electrode on the ferroelectric layer; including depositing, simultaneously, a first metal taken from the group of metals consisting of platinum and iridium; and a second metal taken from the group of metals consisting of aluminum and titanium; and forming a passivation layer by annealing the structure in an oxygen atmosphere to form an oxide passivation layer on the top electrode.

Een elektrode voor gebruik in een ferroelectric apparaat omvat een onderste elektrode; een ferroelectric laag; en een hoogste elektrode die op de ferroelectric laag wordt gevormd en die van een combinatie metalen, met inbegrip van een eerste metaal wordt neemt uit de groep metalen die uit platina en iridium bestaan, en een tweede metaal dat uit de groep metalen wordt genomen gevormd die uit aluminium en titanium bestaan; waarin de hoogste elektrode als passiveringslaag dienst doet en waarin de hoogste elektrode na ontharden het op hoge temperatuur in een waterstofatmosfeer geleidend blijft. Een methode om een waterstof-bestand elektrode in een ferroelectric apparaat te vormen omvat het vormen van een onderste elektrode; het vormen van een ferroelectric laag op de onderste elektrode; het deponeren van een hoogste elektrode op de ferroelectric laag; met inbegrip van het deponeren van, gelijktijdig, een eerste metaal dat uit de groep metalen wordt genomen die uit platina en iridium bestaan; en een tweede metaal dat uit de groep metalen wordt genomen die uit aluminium en titanium bestaan; en vormt een passiveringslaag door de structuur in een zuurstofatmosfeer te ontharden om een laag van de oxydepassivering op de hoogste elektrode te vormen.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor device using ferroelectric film in cell capacitor, and method for fabricating the same

< White-light led with dielectric omni-directional reflectors

> Semiconductor device having ferroelectric substance capacitor

> Dopant barrier for doped glass in memory devices

~ 00151