The invention provides a semiconductor device having a ferroelectric
substance capacitor small in the occupying area and large in capacitance
and a semiconductor device having a ferroelectric substance capacitor
reducing influence of noise and being few in malfunctions. The
semiconductor device includes a first capacitor formed on a surface of a
semiconductor substrate and a second capacitor of a ferroelectric
substance capacitance laminated on the first capacitor so as to connect in
series.
La invención proporciona un dispositivo de semiconductor que tiene un condensador ferroelectric de la sustancia pequeño en el área que ocupa y grande en capacitancia y un dispositivo de semiconductor que tiene un condensador ferroelectric de la sustancia el reducir de la influencia del ruido y el ser poca en malfuncionamientos. El dispositivo de semiconductor incluye un primer condensador formado en una superficie de un substrato del semiconductor y un segundo condensador de una capacitancia ferroelectric de la sustancia laminado en el primer condensador para conectar en serie.
