A magnetic tunnel junction (MTJ) sensor in which the free layer
longitudinal biasing elements are coupled, without insulation, to the free
layer outside of the MTJ stack to provide reliable non-shunting MTJ free
layer stabilization without extremely thin dielectric layers. In one
embodiment, hard magnetic (HM) layers are disposed in contact with the
free layer outside of and separated from the MTJ stack active region by a
thick dielectric layer. In another embodiment, antiferromagnetic (AFM)
bias layers are disposed in contact with the free layer outside of and
separated from the MTJ stack active region by a thick dielectric layer. In
other embodiments, nonconductive HM layers are disposed either in contact
with the free layer outside of the MTJ stack active region and/or in
abutting contact with the MTJ stack active region.
Un sensor magnético de la ensambladura del túnel (MTJ) en el cual los elementos que predisponen longitudinales de la capa libre se juntan, sin el aislamiento, a la capa libre fuera del apilado de MTJ para proporcionar MTJ de no-desvi'o confiable acoda libremente la estabilización sin capas dieléctricas extremadamente finas. En una encarnación, las capas magnéticas duras (HM) se disponen en contacto con la capa libre afuera de y son separadas de la región activa del apilado de MTJ por una capa dieléctrica gruesa. En otra encarnación, (AFM) las capas diagonales antiferromagnetic se disponen en contacto con la capa libre afuera de y son separadas de la región activa del apilado de MTJ por una capa dieléctrica gruesa. En otras encarnaciones, las capas nonconductive de HM se disponen o en contacto con la capa libre fuera de la región activa del apilado de MTJ y/o en contacto que linda con la región activa del apilado de MTJ.
