A method for depositing a tungsten nitride layer is provided. The method
includes a cyclical process of alternately adsorbing a tungsten-containing
compound and a nitrogen-containing compound on a substrate. The barrier
layer has a reduced resistivity, lower concentration of fluorine, and can
be deposited at any desired thickness, such as less than 100 angstroms, to
minimize the amount of barrier layer material.
Un método para depositar una capa del nitruro del tungsteno se proporciona. El método incluye un proceso cíclico alternativamente de fijar un compuesto tungsteno-que contiene y un compuesto por adsorcio'n nitrogen-containing en un substrato. La capa de barrera tiene una resistencia reducida, una concentración más baja del flúor, y se puede depositar en cualquier grueso deseado, tal como menos de 100 angstromes, para reducir al mínimo la cantidad de material de la capa de barrera.
