Provided herein is a method of reducing an electrostatic charge on a
substrate during a plasma enhanced chemical vapor deposition process,
comprising the step of depositing a conductive layer onto a top surface of
a susceptor support plate disposed within a deposition chamber wherein the
conductive layer dissipates the electrostatic charge on the bottom surface
of the substrate during a plasma enhanced chemical vapor deposition
process. Also provided are a method of depositing a thin film during a
plasma enhanced chemical vapor deposition process using the methods
disclosed herein and a conductive susceptor.
Op voorwaarde dat hierin een methode is van verbeterde het verminderen van een elektrostatische last op een substraat tijdens een plasma het proces van het chemische dampdeposito, bestaand uit de stap van het deponeren van een geleidende laag op een hoogste oppervlakte van een plaat van de susceptorsteun die binnen een depositokamer wordt geschikt waarin de geleidende laag de elektrostatische last op de bodem van het substraat tijdens een plasma verbeterd proces van het chemische dampdeposito verdrijft. Op voorwaarde dat ook een methode zijn van verbeterde het deponeren van een dunne film tijdens een plasma het proces van het chemische dampdeposito gebruikend de hierin onthulde methodes en een geleidende susceptor.
