A method for using an isotropic wet etching process chemical process for
trimming semiconductor feature sizes with improved critical dimension
control including providing a hard mask overlying a substrate included in
a semiconductor wafer said hard mask patterned for masking a portion of
the substrate for forming a semiconductor feature according to an
anisotropic plasma etching process; isotropically wet etching the hard
mask to reduce a dimension of the hard mask prior to carrying out the
anisotropic plasma etching process; and, anisotropically plasma etching a
portion of the substrate not covered by the hard mask to form the
semiconductor feature.
Une méthode pour l'usage d'un procédé chimique de processus humide isotrope gravure à l'eau-forte pour équilibrer des tailles de dispositif de semi-conducteur avec la commande critique améliorée de dimension comprenant fournir un masque dur recouvrant un substrat inclus dans masque dur de gaufrette de semi-conducteur ledit modelé pour masquer une partie du substrat pour former un dispositif de semi-conducteur selon un processus anisotrope gravure à l'eau-forte de plasma ; mouillez isotropically graver à l'eau-forte le masque dur pour réduire une dimension du masque dur avant de suivre le processus anisotrope gravure à l'eau-forte de plasma ; et, anisotropically plasma gravant à l'eau-forte une partie du substrat non couvert par le masque dur pour former le dispositif de semi-conducteur.
