A new Static Random Access Memory (SRAM) cell using Thin Film Transistors
(TFT) is disclosed. In a first embodiment, an SRAM cell comprises a strong
inverter and a strong access device constructed on a semiconductor
substrate layer, and a weak inverter and a weak access device constructed
in a semiconductor thin film layer located vertically above the strong
devices. The strong devices are used in the data read and write paths, and
the weak devices are used for latch feed-back and sector data erase. This
first embodiment is used for high density and high speed memory
applications. In a second embodiment, an SRAM cell comprises thin film
inverters and thin film access devices constructed in a semiconductor thin
film layer located substantially above logic transistors. The TFT SRAM
cell is buried above the logic gates of an Integrated Circuit to consume
no extra Silicon real estate. This second embodiment is used for slow
access and Look-Up-Tables type memory applications.
Een nieuwe Statische cel die van het Geheugen van de Directe toegang (SRAM) de Transistors van de Dunne Film gebruikt (TFT) wordt onthuld. In een eerste belichaming, bestaat een cel SRAM uit een sterke omschakelaar en uit een sterk toegangsapparaat dat op een laag van het halfgeleidersubstraat wordt geconstrueerd, en uit een zwakke omschakelaar en uit een zwak toegangsapparaat dat in een laag wordt geconstrueerd van de halfgeleider dunne film die verticaal boven de sterke apparaten wordt gevestigd. De sterke apparaten worden gebruikt in de gelezen gegevens en schrijven wegen, en de zwakke apparaten worden gebruikt voor klinkterugkoppeling en de sectorgegevens wissen. Deze eerste belichaming wordt gebruikt voor high-density en hoge toepassingen van het snelheidsgeheugen. In een tweede belichaming, bestaat een cel SRAM dunne film uit omschakelaars en de apparaten van de dunne filmtoegang die in een laag worden geconstrueerd van de halfgeleider dunne film die wezenlijk boven logicatransistors wordt gevestigd. De cel TFT wordt SRAM begraven boven de logicapoorten van een Geïntegreerde schakeling om geen extra onroerende goederen Silicium te verbruiken. Deze tweede belichaming wordt gebruikt voor langzame toegang en blik-omhoog-Lijsten type geheugentoepassingen.
