Nickel silicide--silicon nitride adhesion through surface passivation

   
   

A process for forming nickel silicide and silicon nitride structure in a semiconductor integrated circuit device is described. Good adhesion between the nickel silicide and the silicon nitride is accomplished by passivating the nickel suicide surface with nitrogen. The passivation may be performed by treating the nickel silicide surface with plasma activated nitrogen species. An alternative passivation method is to cover the nickel silicide with a film of metal nitride and heat the substrate to about 500.degree. C. Another alternative method is to sputter deposit silicon nitride on top of nickel silicide.

Описан процесс для формировать силицид никеля и структуру нитрида кремния в приспособлении интегрированной цепи полупроводника. Хорошее прилипание между силицидом никеля и нитридом кремния выполнено путем пассивировать поверхность суицида никеля с азотом. Запассивированность может быть выполнена путем обрабатывать поверхность силицида никеля с активированным плазмой видом азота. Другой метод запассивированности должен покрыть силицид никеля с пленкой нитрида металла и нагреть субстрат к около 500.degree. Ч. Другой другой метод должен sputter нитрид кремния залеми on top of силицид никеля.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor latches and SRAM devices

< Blocker plate by-pass for remote plasma clean

> Microelectromechanical system with stiff coupling

> Field emission display cathode assembly

~ 00151