Improved field emission display includes a buffer layer of copper,
aluminum, silicon nitride or doped or undoped amorphous, poly, or
microcrystalline silicon located between a chromium gate electrode and
associated dielectric layer in a cathode assembly. The buffer layer
substantially reduces or eliminates the occurrence of an adverse chemical
reaction between the chromium gate electrode and dielectric layer.
L'esposizione migliorata dell'emissione del campo include uno strato dell'amplificatore di rame, di alluminio, del nitruro di silicio o del silicone amorfo, poli, o microcristallino verniciato o undoped situati fra un elettrodo di cancello del bicromato di potassio e uno strato dielettrico associato in un complessivo del catodo. Lo strato dell'amplificatore sostanzialmente riduce o elimina il caso di una reazione chimica avversa fra l'elettrodo di cancello del bicromato di potassio e lo strato del dielettrico.
