Upon formation of semiconductor micro patterns, an interlayer alignment
error occurs due to asymmetry of each alignment mark. Prior to alignment
of a mask with a wafer, the asymmetry of each alignment mark is measured
according to the principle of a scatterometry, and the alignment is
performed in consideration of the result of measurement to execute
exposure. Thus, high-accuracy alignment can be carried out without
sacrificing throughput, and the performance of a semiconductor device is
improved. Further, manufacturing yields can be enhanced and a reduction in
cost can be realized.
Sur la formation des modèles micro de semi-conducteur, une erreur d'alignement de couche intercalaire se produit en raison de l'asymétrie de chaque repère d'alignement. Avant l'alignement d'un masque avec une gaufrette, l'asymétrie de chaque repère d'alignement est mesurée selon le principe d'un scatterometry, et l'alignement est effectué dans la considération du résultat de la mesure pour exécuter l'exposition. Ainsi, l'alignement de grande précision peut être effectué sans sacrifier la sortie, et l'exécution d'un dispositif de semi-conducteur est améliorée. De plus, des rendements de fabrication peuvent être augmentés et une réduction en coût peut être réalisée.
