The present invention relates to a film forming method of forming an
interlayer insulating film having a low dielectric constant for covering
wiring. The insulating film covering wiring is formed on a substrate by
converting into a plasma and reacting a film forming gas including a
component selected from the group consisting of alkoxy compounds having
Si--H bonds and siloxanes having Si--H bonds and an oxygen-containing gas
selected from a group consisting of O.sub.2, N.sub.2 O, NO.sub.2, CO,
CO.sub.2, and H.sub.2 O.
La actual invención se relaciona con una película que forma el método de formar una película aislador de la capa intermediaria que tiene una constante dieléctrica baja para el cableado de la cubierta. El cableado aislador de la cubierta de la película es formado en un substrato convirtiendo en un plasma y reaccionando una película que forma el gas incluyendo un componente seleccionado del grupo que consiste en los compuestos alkoxy que tienen silicio -- los enlaces y los siloxanes de H que tienen silicio -- los enlaces de H y un gas oxi'geno-que contiene seleccionado de un grupo que consiste en O.sub.2, N.sub.2 O, NO.sub.2, el CO, CO.sub.2, y H.sub.2 O.
