This invention relates an optoelectronic material comprising a uniform
medium with a controllable electric characteristic; and semiconductor
ultrafine particles dispersed in the medium and having a mean particle
size of 100 nm or less, and an application device using the same. This
invention also relates to a method of manufacturing an optoelectronic
material by irradiating a laser beam onto a first target of a
semiconductor material, placed in a reaction chamber in low pressure rare
gas ambient, and a second target of a medium material with a controllable
electric characteristic, placed in the reaction chamber,
condensing/growing a semiconductor material ablated from the first target
to be collected as ultrafine particles having a mean particle size of 100
nm or smaller on a substrate placed in the reaction chamber, and
condensing/growing a medium material ablated from the second target to be
collected on the substrate placed in the reaction chamber, thus forming an
ultrafine-particles dispersed layer having semiconductor ultrafine
particles dispersed in the medium on the substrate.
Esta invenção relaciona um material optoelectronic que compreende um médio uniforme com uma característica elétrica controllable; e as partículas do ultrafine do semicondutor dispersaram-se no meio e em ter um tamanho de partícula médio de 100 nm ou menos, e um dispositivo da aplicação usando o mesmo. Esta invenção relaciona-se também a um método de manufaturar um material optoelectronic irradiating um feixe de laser em um primeiro alvo de um material do semicondutor, colocado em uma câmara da reação no gás raro da pressão baixa ambiental, e um segundo alvo de um material médio com uma característica elétrica controllable, colocado na câmara da reação, o condensing/growing que um material do semicondutor ablated do primeiro alvo a ser coletado como as partículas do ultrafine que têm um tamanho de partícula médio de 100 nm ou menor em uma carcaça colocou na câmara da reação, e condensing/growing um material médio ablated do segundo alvo a ser coletado na carcaça colocou na câmara da reação, assim dando forma dispersada ultrafine-partículas a uma camada tendo partículas do ultrafine do semicondutor dispersadas no meio na carcaça.
