Without forming a silicide film on a surface of a photodiode PD formation
portion and a surface of a drain portion of a reset transistor T1 having
an impurity region as a drain connected to an impurity region of the
photodiode PD, the silicide film is formed on a surface of a source
portion of the reset transistor T1 and a surface of a source/drain portion
of other MOS transistors.
Sem dar forma a uma película do silicide em uma superfície de uma parcela da formação do paládio do fotodiodo e em uma superfície de uma parcela do dreno de um T1 do transistor da restauração que tem uma região da impureza como um dreno conectado a uma região da impureza do paládio do fotodiodo, a película do silicide é dada forma em uma superfície de uma parcela da fonte do T1 do transistor da restauração e em uma superfície de uma parcela de source/drain de outros transistor do MOS.
