A photodiode for use in an imager having an improved charge leakage. The
photodiode has a doped region that is spaced away from the field isolation
to minimize charge leakage. A second embodiment of invention provides a
second implant to improve charge leakage to the substrate. The photodiodes
according to the invention provide improve charge leakage, improved
reactions to dark current and an improved signal to noise ratio. Also
disclosed are processes for forming the photodiode.
Un fotodiodo para el uso en un toner que tiene una salida mejorada de la carga. El fotodiodo tiene una región dopada que se espacie lejos del aislamiento del campo para reducir al mínimo salida de la carga. Una segunda encarnación de la invención proporciona un segundo implante para mejorar salida de la carga al substrato. Los fotodiodos según la invención proporcionan mejoran salida de la carga, reacciones mejoradas a la corriente oscura y un cociente mejorado de la señal/interferencia. También se divulgan los procesos para formar el fotodiodo.
