A memory array according to a particular embodiment of the invention
includes a substrate, a plurality of first select-lines disposed in a
plurality of planes generally parallel to the substrate, a plurality of
second select-lines formed in pillars disposed generally orthogonal to the
substrate, a plurality of memory cells coupled to the first select-lines
and the second select-lines, and a current path connection providing a
continuous current path through a selected plurality of the pillars to
heat the selected pillars and cause at least one memory cell associated
with the selected pillars to be reset.
Блок памяти согласно определенному воплощению вымысла вклюает субстрат, множественность первых выбирать-lini1 размещанных в множественности плоскостей вообще параллельных к субстрату, множественность вторых сформированных выбирать-lini1 в штендеры размещал вообще ортогональное к субстрату, множественность ячейкы памяти соединенные к первым выбирать-lini4m и вторым выбирать-lini4m, и в настоящее время соединение курса обеспечивая курс непрерывного течения через выбранную множественность штендеров для того чтобы нагреть выбранные штендеры и причинить по крайней мере один ячейкы памяти связанный при выбранные штендеры, котор нужно переустановить.
