To provide a semiconductor memory device capable of fast rewriting with a
small area, and/or large-capacity operation with a small area or fast
operation and low power consumption operation, peripheral circuits such as
logic circuit, buffer memory and sense circuit or part thereof are formed
on a semiconductor substrate surface, and memory cells are provided
thereon with an insulator film interposed therebetween.
Om een apparaat van het halfgeleidergeheugen geschikt om snel te herschrijven van een klein gebied, en/of verrichting met hoge capaciteit met een klein gebied of snelle verrichting en de lage verrichting van de machtsconsumptie te voorzien, worden de randkringen zoals logicakring, buffergeheugen en betekeniskring of deel daarvan gevormd op een oppervlakte van het halfgeleidersubstraat, en de geheugencellen worden daarop voorzien van een ingevoegde isolatiefilm therebetween.
