A hybrid memory system having electromechanical memory cells is disclosed.
A memory cell core circuit has an array of electromechanical memory cells,
in which each cell is a crossbar junction at least one element of which is
a nanotube or a nanotube ribbon. An access circuit provides array
addresses to the memory cell core circuit to select at least one
corresponding cell. The access circuit is constructed of semiconductor
circuit elements.
Un système hybride de mémoire ayant les cellules de mémoire électromécaniques est révélé. Un circuit de noyau de cellules de mémoire a un choix de cellules de mémoire électromécaniques, en lesquelles chaque cellule est une jonction de barre transversale au moins un élément dont est un nanotube ou un ruban de nanotube. Un circuit d'accès fournit des adresses de rangée au circuit de noyau de cellules de mémoire pour choisir au moins une cellule correspondante. Le circuit d'accès est construit avec des éléments de circuit de semi-conducteur.
