A semiconductor device is analyzed and manufactured using a heat-exchange
probe. According to an example embodiment of the present invention, a
heat-exchange probe is controlled to exchange heat to a portion of a
semiconductor device using sub-micron resolution. In one implementation,
sub-micron resolution is achieved using a navigational arrangement, such
as microscope, adapted to direct light to within about one micron of a
target circuit portion on a plane of the device. In another
implementation, a physical heat probe tip (e.g., a metal probe having
about a one micron diameter probe tip) is navigated to a selected portion
of the device using sub-micron navigational resolution. In each of these
implementations, as well as others, the heat exchange is preponderantly
confined to within about a one micron radius of a target portion of
circuitry on lateral plane of the device. With this approach, heat
exchange can be controlled to selectively stimulate circuitry within the
device, which is particularly useful in high-density circuit
implementations.
Un dispositif de semi-conducteur est analysé et employer construit chaleur-échangent la sonde. Selon un mode de réalisation d'exemple de la présente invention, chaleur-échangez la sonde est commandé pour échanger la chaleur à une partie d'un dispositif de semi-conducteur en utilisant la résolution submicronique. Dans une exécution, la résolution submicronique est réalisée en utilisant un arrangement de navigation, tel que le microscope, adapté à la lumière directe à dans environ un micron d'une partie de circuit de cible sur un plan du dispositif. Dans une autre exécution, un bout physique de sonde de la chaleur (par exemple, une sonde en métal ayant environ un bout de sonde d'un micron de diamètre) est dirigé à une partie choisie du dispositif en utilisant la résolution de navigation submicronique. Dans chacune de ces réalisations, aussi bien que d'autres, l'échange thermique est preponderantly confiné à dans environ un rayon d'un micron d'une partie de cible de circuits sur le plan latéral du dispositif. Avec cette approche, l'échange thermique peut être commandé pour stimuler sélectivement des circuits dans le dispositif, qui est particulièrement utile dans des réalisations à haute densité de circuit.
