It is an object of the present invention to solve the problems of the
conventional organic transistors, such as a low mobility, a high threshold
voltage and fluctuation of a threshold voltage in driving for a long
period. The field-effect organic transistor of the present invention
comprises 3 electrodes being source, drain and gate electrodes, a gate
insulating layer and an organic semiconductor layer, wherein the organic
semiconductor layer contains an organic semiconductor having 2 or more
repeating units, each of the repeating units having a condensed aromatic
ring compound having 10 or more conjugate double bonds and 3 two-fold
axes.
É um objeto da invenção atual para resolver os problemas o dos transistor, tais como uma mobilidade baixa, da alta tensão do ponto inicial e da flutuação orgânicos convencionais de uma tensão do ponto inicial em dirigir durante um longo período. O transistor orgânico do field-effect da invenção atual compreende 3 elétrodos que são elétrodos da fonte, do dreno e de porta, uma camada isolando da porta e uma camada orgânica do semicondutor, wherein a camada orgânica do semicondutor contem um semicondutor orgânico que tem 2 ou mais unidades repetindo, cada uma das unidades repetindo que têm um composto de anel aromatic condensado ter 10 ou mais ligações dobro do conjugate e 3 machados two-fold.
