An n-type well is formed in a p.sup.- -type semiconductor substrate and a
p.sup.- -type epitaxial layer is formed on; the n-type well. An n.sup.-
-type well is formed in the, p-type epitaxial layer on the n-type well so
as to allow a RESURF operation. A p-type island is formed in the n.sup.-
-type well at a position above the n-type well to form an island region
for high withstand-voltage separation. Thus, the withstand voltage of the
separated island is improved.
Um n-tipo poço é dado forma em um p.sup. - - datilografa a carcaça do semicondutor e um p.sup. - - tipo camada epitaxial é dado forma sobre; o n-tipo poço. Um n.sup. - - datilografe é dado forma bem no, p-tipo camada epitaxial no n-tipo poço para permitir uma operação de RESURF. Um p-tipo console é dado forma no n.sup. - - datilografe bem em uma posição acima do n-tipo bem para dar forma a uma região do console para a separação elevada da suport-tensão. Assim, a tensão do withstand do console separado é melhorada.
