Semiconductor device having noise immunity

   
   

A semiconductor device, including a dummy diffused layer in the upper part of a substrate, has its noise immunity improved. The dummy diffused layer is formed between analog and digital blocks to eliminate dishing, which usually occurs during a CMP process for defining STI regions. The surface of the dummy diffused layer is covered with an anti-silicidation film at least partially and a dummy gate electrode so as not to be silicided. The dummy gate electrode can be formed along with a normal gate electrode for a transistor. Accordingly, there is no need to add any extra process step to the fabrication process.

Прибора на полупроводниках, включая думмичный отраженный слой в верхней части субстрата, имеет свою улучшенную невосприимчивость шума. Думмичный отраженный слой сформирован между сетноыми-аналогов и цифровыми блоками для того чтобы исключить dishing, который обычно происходит во время процесса cmp для определять зоны STI. Поверхность думмичного отраженного слоя покрына с пленкой anti-silicidation по крайней мере частично и думмичный электрод строба для того НОП не быть silicided. Думмичный электрод строба можно сформировать вместе с нормальным электродом строба для транзистора. Соответственно, не будет потребности добавить любой экстренный отростчатый шаг к процессу изготовления.

 
Web www.patentalert.com

< Optical disc having land pre-pits and variable groove depths

< Chewing gum containing calcium

> Semiconductor device having a separation structure for high withstand voltage

> Heat-sensitive recording material and process for production of the same

~ 00153