A semiconductor device, including a dummy diffused layer in the upper part
of a substrate, has its noise immunity improved. The dummy diffused layer
is formed between analog and digital blocks to eliminate dishing, which
usually occurs during a CMP process for defining STI regions. The surface
of the dummy diffused layer is covered with an anti-silicidation film at
least partially and a dummy gate electrode so as not to be silicided. The
dummy gate electrode can be formed along with a normal gate electrode for
a transistor. Accordingly, there is no need to add any extra process step
to the fabrication process.
Прибора на полупроводниках, включая думмичный отраженный слой в верхней части субстрата, имеет свою улучшенную невосприимчивость шума. Думмичный отраженный слой сформирован между сетноыми-аналогов и цифровыми блоками для того чтобы исключить dishing, который обычно происходит во время процесса cmp для определять зоны STI. Поверхность думмичного отраженного слоя покрына с пленкой anti-silicidation по крайней мере частично и думмичный электрод строба для того НОП не быть silicided. Думмичный электрод строба можно сформировать вместе с нормальным электродом строба для транзистора. Соответственно, не будет потребности добавить любой экстренный отростчатый шаг к процессу изготовления.
