A single gas tight system may perform multi-functions including reducing
the thickness of oxides on contact pads and probing, testing, burn-in,
repairing, programming and binning of integrated circuits. A holding
fixture holds a wafer having integrated circuits and aligns the wafer to a
full-substrate probing device. A temperature control device is used to
heat the wafer during an oxide reduction process or during burn-in of the
wafer. During the oxide reduction process, hydrogen is introduced into the
chamber, and the wafer is heated so that the oxides on the contact pads
can combine with hydrogen to form water vapor, thus reducing the thickness
of the oxides. A computer analyzes the test and/or burn-in data and
provides control signals for repairing or programming the integrated
circuits.
Система одиночного газа плотно может выполнить мулти-funkqii включая уменьшение толщины окисей на пусковых площадках контакта и зондировать, испытывать, burn-in, ремонтировать, программировать и binning интегрированных цепей. Держа приспособление держит вафлю имея интегрированные цепи и выравнивает вафлю к приспособлению полн-substrata зондируя. Приспособление контроля температуры использовано для того чтобы нагреть вафлю во время процесса уменьшения окиси или во время burn-in вафли. Во время процесса уменьшения окиси, водопод введен в камеру, и нагрета вафля так, что окиси на пусковых площадках контакта смогут совместить с водоподом для того чтобы сформировать водяной пар, таким образом уменьшающ толщину окисей. Компьютер анализирует испытание and/or данные по burn-in и подает сигналы управления для ремонтировать или программировать интегрированные цепи.
