Within a method for forming a microelectronic fabrication there is provided
a substrate having formed thereover a patterned dielectric layer which
defines a via. There is also formed within a lower portion of the via a
tungsten stud layer having a recess thereabove within the via. There is
also formed within the recess a patterned conductor capping layer formed
of a conductor material other than tungsten. The patterned conductor
capping layer may seal a void formed within the tungsten stud layer.
Μέσα σε μια μέθοδο για μια μικροηλεκτρονική επεξεργασία παρέχεται ένα υπόστρωμα διαμορφώνοντας thereover ένα διαμορφωμένο διηλεκτρικό στρώμα που καθορίζει το α μέσω. Διαμορφώνεται επίσης μέσα σε μια χαμηλότερη μερίδα μέσω ενός στρώματος στηριγμάτων βολφραμίου που έχει μια κοιλότητα thereabove μέσα μέσω. Διαμορφώνεται επίσης μέσα στην κοιλότητα ένα διαμορφωμένο στρώμα κάλυψης αγωγών που διαμορφώνεται ενός υλικού αγωγών εκτός από το βολφράμιο. Το διαμορφωμένο στρώμα κάλυψης αγωγών μπορεί να σφραγίσει ένα κενό που διαμορφώνεται μέσα στο στρώμα στηριγμάτων βολφραμίου.
