A method for depositing a film on a substrate is provided. In one aspect,
the method includes providing a metal-containing precursor to an
activation zone, and activating the metal-containing precursor to form an
activated precursor. The activated precursor gas is transported to a
reaction chamber, and a film is deposited on the substrate using a
cyclical deposition process, wherein the activated precursor gas and a
reducing gas are alternately adsorbed on the substrate. Also provided is a
method of depositing a film on a substrate using an activated reducing
gas.
Μια μέθοδος για μια ταινία σε ένα υπόστρωμα παρέχεται. Σε μια πτυχή, η μέθοδος περιλαμβάνει την παροχή ενός μέταλλο-περιέχοντας προδρόμου σε μια ζώνη ενεργοποίησης, και την ενεργοποίηση του μέταλλο-περιέχοντας προδρόμου για να διαμορφώσει έναν ενεργοποιημένο πρόδρομο. Ο ενεργοποιημένος πρόδρομος αέριο μεταφέρεται σε μια αίθουσα αντίδρασης, και μια ταινία κατατίθεται στο υπόστρωμα χρησιμοποιώντας μια κυκλική διαδικασία απόθεσης, όπου ο ενεργοποιημένος πρόδρομος αέριο και μια μείωση αέριο προσροφώνται διαδοχικά στο υπόστρωμα. Επίσης υπό τον όρο ότι είναι μια μέθοδος μια ταινία σε ένα υπόστρωμα που χρησιμοποιεί μια ενεργοποιημένη μείωση αέριο.
