A process for measuring depth of a source and drain of a MOS transistor.
The MOS transistor is formed on a semiconductor substrate on which a
trench capacitor is formed and a buried strap is formed between the MOS
transistor and the trench capacitor. The process includes the following
steps. First, resistances of the buried strap at a plurality of different
depths are measured. Next, a curve correlating the resistances with the
depths is established. Next, slopes of the resistance to the depth for the
curve are obtained. Finally, a depth corresponding to a minimum resistance
before the slope of the resistance to the depth reaches to zero is
obtained.
Процесс для измерять глубину источника и стока транзистора mos. Транзистор mos сформирован на субстрате полупроводника на конденсатор шанца сформирован и похороненная планка сформирована между транзистором mos и конденсатором шанца. Процесс вклюает following шаги. Во первых, измерены сопротивления похороненной планки на множественности по-разному глубин. Затем, установлена кривый сопоставляя сопротивления с глубинами. Затем, получены наклоны сопротивления к глубине для кривого. Окончательно, получена глубина соответствуя к минимальному сопротивлению прежде чем наклон сопротивления к глубине достигает до нул.
