A method of forming a hybrid mask for optically transferring a lithographic
pattern corresponding to an integrated circuit from the mask onto a
semiconductor substrate by use of an optical exposure tool. The method
includes the steps of forming at least one non-critical feature on the
mask utilizing one of a low-transmission phase-shift mask (pattern) and a
non-phase shifting mask (pattern), and forming at least one critical
feature on the mask utilizing a high-transmission phase-shift mask
(pattern).
Un metodo di formare una mascherina ibrida per otticamente il trasferimento del modello litografico che corrisponde ad un circuito integrato dalla mascherina su un substrato a semiconduttore per mezzo di un attrezzo ottico di esposizione. Il metodo include i punti di formare almeno una caratteristica non critica sulla mascherina che utilizza uno di una mascherina di sfasamento della basso-trasmissione (modello) e di una mascherina mobile di non-fase (modello) e formante almeno una caratteristica critica sulla mascherina che utilizza una mascherina di sfasamento della alto-trasmissione (modello).
