A semiconductor memory device includes a memory cell, a signal line on
which a potential responsive to data read from the memory cell appears, a
potential detecting circuit which outputs a detection signal in response
to detecting that the potential on the signal line exceeds a predetermined
potential, and a sense amplifier which starts amplifying the potential on
the signal line in response to the detection signal.
Eine Halbleiterspeichervorrichtung schließt eine Speicherzelle, auf der ein Leitungssignal ein Potential, das Datenlesen von der Speicherzelle entgegenkommend ist, erscheint, ein möglicher ermittelnder Stromkreis ein, der ein Abfragung Signal in Erwiderung auf das Ermitteln, daß das Potential auf dem Leitungssignal ein vorbestimmtes Potential übersteigt, und einen Richtung Verstärker ausgibt, der anfängt, das Potential auf dem Leitungssignal in Erwiderung auf das Abfragung Signal zu verstärken.
