A semiconductor manufacturing method is mainly contemplated, improved to
prevent an altered surface layer of a resist from being removed when a
single patterned resist is used to provide dry-etch and wet-etch
successively. On a semiconductor substrate an insulation film and a
conductive layer are formed successively. On the conductive layer a
patterned resist is formed. With the patterned resist used as a mask, the
conductive layer is dry-etched. A surface layer of the patterned resist is
partially removed. With the patterned resist used as a mask, the
insulation film is wet-etched.
Eine Halbleiterproduktionsmethode wird hauptsächlich erwogen, verbessert, um eine geänderte Deckschicht widerstehen an entfernt werden zu verhindern, wenn ein einzelnes patterned wird verwendet zur Verfügung zu stellen trocken-ätzen und nass-ätzen mehrmals hintereinander widerstehen. Auf einem Halbleitersubstrat werden ein Isolierung Film und eine leitende Schicht mehrmals hintereinander gebildet. Auf leitenden Schichtpatterned widerstehen Sie wird gebildet. Wenn patterned, widerstehen Sie verwendet als Schablone, die leitende Schicht wird trocken-geätzt. Eine Deckschicht von patterned widerstehen wird entfernt teilweise. Wenn patterned, widerstehen Sie verwendet als Schablone, der Isolierung Film wird nass-geätzt.
